Siliciumcarbide keramische plaat

Siliciumcarbide Keramische plaat die wordt gebruikt voor het bakken van algemeen porselein en keramisch product (temperatuur onder 1.450 ° C), wordt gemaakt door SiC gebonden door siliciumoxide (Si2O3) en technisch "Oxide Bonded Silicon Carbide" genoemd.

Aanvraag sturen

product Introductie

Introductie

Technische parameter

Typische kwaliteitsanalyse		Oxide gebonden
		SiC (O-SiC)
	Max. bedrijfstemperatuur (°C)	1450
	Chemische samenstellingSiC (%)	90
	SiO2	8
	Schijnbare porositeit (%)	7-8
	Bulkdichtheid (g/cm3)	2.75
	Modulus van Ruptuur	50
	bij RT (Mpa)	50
	1400 °C	55
	Thermische uitzetting	4.2-4.8
	bij 1000°C (10-6K-1)	4.2-4.8
	Thermische geleidbaarheid	13.5-14.5
	bij 1000°C (W / mK)	13.5-14.5

Voordeel van het product

Deze SiC-vuurvastheid heeft een zeer hoge thermische geleidbaarheid (bijna 10 keer hoger dan mulliet-vuurvast) en een hoge stralingssnelheid van infrarood met lange golflengte die een zeer hoge warmte-efficiëntie naar producten brengt.
In termen van kostenprestaties voor het stoken van algemeen porselein en keramische producten, is deze Oxide Bonded SiC de meest waardevolle en geschikte vuurvaste. De maximale aanbevolen bedrijfstemperatuur van onze SiC-plaat (O-SiC) is 1.450 °C.

Productie-uitrusting

Populaire tags: siliciumcarbide keramische plaat, China, fabrikanten, leveranciers, fabriek, prijs

Een paar

SiC keramische plaat

Misschien vind je dit ook leuk

Aanvraag sturen